磁控溅射碳纳米管SnO2材料的工艺对性能的影响

摘要：

采用磁控溅射方法制备碳纳米管snO2薄膜,通过分析不同工艺条件下制备的气敏元件在N02气氛中的灵敏度响应特性,以及比较不同的薄膜厚度的气敏元件的性能特性,来研究磁控溅射工艺条件的改变对碳纳米管sn02气敏元件的性能的影响.实验表明:磁控溅射的工艺条件对气敏元件的性能有很大的影响,射频反应溅射碳纳米管SnO2气敏元件有较好的性能,最佳的气敏元件薄膜厚度在30nm左右.

关键词： 磁控溅射 碳纳米管 二氧化锡薄膜 气敏元件

作者: 林伟 黄世震 陈文哲

作者单位: 福州大学材料科学与工程学院,福州:350002;福州大学物理与信息工程学院,福州:350002;福建省微电子集成电路重点实验室,福州:350002 福州大学材料科学与工程学院,福州:350002

会议类型: 国内会议

会议名称: 第12届中国湿度与水分学术交流会暨第十届全国气湿敏传感器技术交流会

会议地点: 江西景德镇

会议语种:中文

页码: 236-238

在线出版日期: 2008-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）