氮化硅含量对氮化硅-碳化硅材料抗电解质侵蚀性能的影响

摘要：

以SiC颗粒和细粉、金属Si粉为主要原料,调整Si含量,制备了不同Si3N4含量的反应烧结Si3N4结合SiC材料,采用气氛控制动态侵蚀法研究材料的抗电解质侵蚀性能,并对侵蚀结果进行分析.结果表明,Si3N4含量增加,材料的气孔率降低,抗电解质侵蚀能力提高.

关键词： 铝电解槽 氮化硅 碳化硅 电解质 抗侵蚀

作者: 李延军 常赪 赵俊国 王文武 刘国华

作者单位: 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司,河南 洛阳,471039 中钢集团耐火材料有限公司,河南 洛阳,471000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国耐火材料青年学术报告会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 173-175,182

在线出版日期: 2008-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）