Bi4Ge3O12晶体光纤磁场传感器的研究
对Bi4Ge3O12晶体的法拉第旋转效应进行了研究,结果表明可以把它用作基于法拉第效应光纤磁场传感器的敏感材料.设计了传感器探头及后续信号处理电路,并搭建了实验测量平台.通过变化两个环状磁铁的间距来得到不同强度的磁场,并用研制的光纤磁场传感器对其进行测量,给出了实验数据,结果表明,该光纤磁场传感器具有较好的线性度及较高的灵敏度.
法拉第效应 光纤磁场传感器 敏感材料 信号处理
鲍丙豪 张金卫 肖颖 赵洪利
江苏大学 测控技术与仪器系 镇江 212013
国内会议
河南焦作
中文
8-11
2008-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)