氮化硼薄膜退火诱导相变的红外光谱研究

摘要：

本研究利用射频溅射法在Si(100)衬底上制备了纯六方相(h-BN)和以正交相(E-BN)为主相的两组氮化硼薄膜，对其进行600～1000℃的N2保护退火，通过傅里叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。h-BN向立方氮化硼(c-BN)的最佳退火诱导相变温度为900℃，在此温度下,制备出了立方相含量接近100％的氮化硼薄膜,并且对相变路径与机理进行了探索性的讨论。

关键词： 氮化硼薄膜 薄膜结构 可逆相变 红外光谱

作者: 张晓康 邓金祥 姚倩 汪旭洋 陈光华 贺德衍

作者单位: 北京工业大学应用数理学院,北京 100124;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃 兰州 730000 北京工业大学应用数理学院,北京 100124 北京工业大学材料学院,北京 100124 兰州大学物理科学与技术学院,甘肃 兰州 730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国分子光谱学学术会议

会议地点: 泉州

会议语种:中文

页码: 29-30

在线出版日期: 2008-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）