四唑基键合硅胶对阴离子富集作用研究

摘要：

在酸性条件下,以Fe(CN)3-6、Fe(CN)4-6和二茂铁为探针考察了四唑基键合硅胶修饰碳糊电极(TSiE)对阴离子的富集作用。结果表明,质子化四唑基键合硅胶对阴离子如Fe(CN)3-6、Fe(CN)4-6等有静电富集作用,而且富集效果随着阴离子电荷数的增加而增加,然而对荷正电阳离子如二茂铁有排斥作用。

关键词： 四唑基键合硅胶 二茂铁 阴离子富集 碳糊电极

作者: 聂富强 熊小虎 卫引茂 宋俊峰

作者单位: 西北大学分析科学研究所,西安 710069 西北大学化学系,西安 710069

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年中西部地区无机化学、化工学术交流会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 46-48

在线出版日期: 2008-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）