纳米硅/铝氧化物杂化聚酰亚胺薄膜电性能研究

摘要：

为了提高聚酰亚胺薄膜的电学性能,将纳米硅/铝氧化物掺杂到聚酰亚胺(PI)基体中,通过固定掺杂总量,调整纳米硅/铝氧化物的相对质量百分含量制备出一系列的无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜.采用SEM(扫描电镜)表征了薄膜的表面形貌,对薄膜击穿场强、耐电晕寿命进行了测试.结果表明：无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜与纯的聚酰亚胺薄膜相比其电性能大幅度提高.

关键词： 聚酰亚胺薄膜 硅铝氧化物 纳米杂化 电学性能 耐电晕寿命

作者: 陈慧丹 刘晓玉 陈昊 李娟 范勇

作者单位: 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,哈尔滨 150040

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届绝缘材料与绝缘技术学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 302-306

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）