CMOS反相器RF脉冲闩锁效应实验研究
本文开展了RF脉冲对CMOS数字电路闩锁效应实验研究.闩锁效应是CMOS数字电路的一个固有传统重要失效机理,ESD脉冲、宇宙空间射线、重粒子等均可触发CMOS电路闩锁效应.本文通过CMOS数字电路单元器件反相器输入端口直接注入单次RF脉冲实验研究结果表明,反相器输出除发生逻辑电平扰乱、逻辑翻转效应外,RF脉冲也可以触发反相器闩锁效应,且触发闩锁脉冲具有能量阈值规律,即所需RF脉冲功率与脉冲宽度成反比关系,但所需脉冲能量一致.对应SPICE模拟显示反相器处于闩锁状态时,器件直流静态工作电流同比为正常值(输入为逻辑高电平)6600倍.伴随着器件集成度提高,器件尺寸变得越来越小,器件功耗问题愈显突出的情况下,静态功耗的大幅增加将使这类CMOS器件微波敏感度更高.
CMOS反相器 RF脉冲 高功率微波 闩锁效应 静态功耗 微波敏感度
汪海洋 李家胤 李浩 胡标 于秀云
电子科技大学物理电子学院国家863计划强辐射实验室 四川 成都 610054
国内会议
云南丽江
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246-252
2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）