MOSFET 亚阈值斜率随温度变化关系研究

摘要：

文章研究了全温区(-55℃～125℃)内亚阈值斜率的变化情况,并通过HSPICE模拟验证了实验的结果.总结出了变化规律,进一步讨论了产生亚阈值随温度变化的相关原因,得出温度对器件亚阈区特性的影响.

关键词： MOSFET 亚阈值斜率 温度变化 模拟验证 可靠性

作者: 齐领 恩云飞 章晓文

作者单位: 广东工业大材料学院 广州 510006 电子元器件可靠性物理机器应用技术国家级重点实验室 广州 510610 电子元器件可靠性物理机器应用技术国家级重点实验室 广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 238-241

在线出版日期: 2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）