VDMOS功率器件的失效模式和失效机理研究动态

摘要：

VDMOS功率器件在混合集成电路中的使用率非常高,因此其可靠性显得相当重要.本文着重讨论了VDMOS功率器件应用于高温环境下的电学参数变化,二次击穿的影响,以及简单介绍电迁移、键合与贴片工艺引发的失效.

关键词： VDMOS功率器件 混合集成电路 失效模式 可靠性 二次击穿 电迁移 贴片工艺

作者: 陈镜波 何小琦 章晓文

作者单位: 广东工业大学材料与能源学院,广东 广州 510075 信息产业部电子第五研究所,广东 广州 510610 信息产业部电子第五研究所,广东 广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 232-237

在线出版日期: 2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）