超薄栅氧化层中应力诱导漏电流的研究

摘要：

随超大规模集成电路的发展,栅氧化层的质量在器件和电路的可靠性方面起非常重要的作用.应力诱导漏电流(SILC)已经成为评价栅氧化层质量的重要参数.在这篇文章中栅漏电流的变化盈被用米监控MOSFET器件中氧化层的老化.本文就栅漏电流和栅氧化层的可靠性的关系进行了研究.

关键词： 超大规模集成电路 超薄栅氧化层 应力诱导漏电流 栅漏电流 氧化层老化 隧穿电流 电路可靠性

作者: 熊海 孔学东 章晓文

作者单位: 广东工业大学材料与能源学院,广东 广州 510075 信息产业部电子第五研究所,广东 广州 510610 信息产业部电子第五研究所,广东 广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 226-231

在线出版日期: 2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）