电源模块中关键器件可靠性的研究

摘要：

对当前应用较广泛的DC/DC电源模块中关键器件-VDMOS场效应晶体管和肖特基势垒二极管(SBD)的可靠性进行了研究.使用以器件参数退化为基础的恒定电应力、序进温度应力加速寿命试验方法-恒定电应力温度斜坡法(CETRM),获得VDMOS、SBD的平均寿命分别为1.47×107小时和7.6×107小时.对试验中失效的VDMOS、SBD进行了初步的失效分析.

关键词： DC/DC电源模块 可靠性 加速寿命试验 VDMOS场效应晶体管 肖特基势垒二极管 失效分析 恒定电应力温度斜坡法

作者: 吕长志 马卫东 朱春节 段毅 谢雪松 张小玲 郭春生 李志国

作者单位: 北京工业大学 电子信息与控制工程学院 微电子可靠性研究室 北京 100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 220-225

在线出版日期: 2008-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）