不同剂量率下MOSFET的辐照响应和退火行为

摘要：

本文研究了国产商用MOSFET在0.01.1、50 rad(Si)/s三种剂量率条件下的电离辐照效应及退火特性.结果表明,由于辐照感生的氧化物电荷和界面态在不同剂量率辐照下的贡献不同及性质相异,NMOSFET和PMOSFET显示出不同的响应特性:对于MMOS管,用较高剂量率辐照加室温退火可以预示其低剂量率的辐射损伤,而PMOS管则无法预估其在低剂量率辐照时的损伤明显增大.文中对造成两者明显差异的损伤机理进行了较深入的分析.

关键词： 剂量率 金氧半场效晶体管 辐照响应 退火行为

作者: 陆妩 任迪远 郭旗 余学峰

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届电子产品防护技术研讨会

会议地点: 贵州安顺

会议语种:中文

页码: 157-162

在线出版日期: 2008-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）