多位翻转研究及其加固处理

摘要：

本文主要对多位翻转(MBU)的产生模式和影响因素及加固进行了介绍,首先对各种不同粒子产生MBU的模式进行说明,然后对几种影响MBU产生的因素进行非常详细的分析,最后列举了两种抗MBU方法.在对MBU的研究中发现,随着器件特征尺寸的不断缩小,特别是器件进入深亚微米阶段,MBU对器件及电路的可靠性影响越大.

关键词： 多位翻转 敏感体积法 单粒子单位翻转 加固处理 电子器件 可靠性

作者: 汪俊 师谦 邓文基

作者单位: 华南理工大学微电子所,广东 广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州 510610 华南理工大学微电子所,广东广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届电子产品防护技术研讨会

会议地点: 贵州安顺

会议语种:中文

页码: 151-156

在线出版日期: 2008-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）