绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究
射频功率器件对整个射频放大电路的性能起到决定性的影响.而这类器件依然没有精确、统一的电路模型.因此,基于分支电路模型建立了一种新型SOI LDMOS的大信号电路模型.该模型是一个非线性电路模型,包括了对直流特性的模拟、S参数的模拟,以及其他有关参数的提取.仿真结果表明该模型能比较精确的模拟RF SOI LDMOS器件的直流特性以及频率特性,所以可以利用这个电路模型辅助射频功率放大器设计,为前端设计的电路仿真提供模型的支持.
直流特性 散射参数 射频功率放大器 非线性电路 电路模型
陈卫军 张海鹏 吕韶义 马里剑 张帆 苏步春 张亮
杭州电子科技大学系统集成研究所/RF电路与系统省部共建教育部重点实验室 浙江 杭州 310018
国内会议
北京·天津
中文
286-289
2008-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）