薄膜光刻工艺参数的优化

摘要：

光刻工艺涉及复杂的光化学反应和物理过程,在理论上优化各工艺参数非常困难.本文通过大量实验,对甩胶、前烘、曝光,显影,坚膜等影响光刻图像质量的工艺进行研究,得到了比较优化的工艺参数.即在5500-6500rpm的转速下甩胶20-30s,取得较均匀的光刻胶膜后,在80-90℃下前烘20-30min,再经过30-50mW/cm2的曝光和20s的显影,最后经过15-25min的100-130℃坚膜,可得到较好的光刻图形.

关键词： 薄膜 光刻工艺 工艺参数 优化工艺

作者: 赵兹君

作者单位: 中国电子科技集团第43研究所,合肥 230022

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十五届电子元件学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 186-190

在线出版日期: 2008-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）