Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学性能的影响

摘要：

本文研究并分析了Nd2O3掺杂对SnO2压敏电阻电学非线性特性的影响.研究发现适量的Nd3+对Sn4+的取代能明显提高压敏电阻的压敏电场和非线性系数.掺杂0.50 mol％Nd2O3的陶瓷样品具有最高的非线性系数(α=35)和高的压敏电场(Ea=865V/mm).晶粒尺寸随着Nd3+掺杂量的增加而减小,同时压敏电场的升高归因于品粒尺寸的减小,替代Sn的受主Nd3+离子应处于间界上.

关键词： 压敏材料 压敏电阻 电学性能 Nd2O3掺杂

作者: 陈洪存 王春明 王矜奉 苏文斌

作者单位: 山东大学物理学院 晶体材料国家重点实验室 山东济南 250100

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十五届电子元件学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 98-102

在线出版日期: 2008-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）