氢退火对氧化锌薄膜晶体管性能的影响

摘要：

本文报道了利用射频磁控溅射方法存室温下制备了氧化锌薄膜晶体管的实验结果.x光衍射谱(XRD)表明所制备的氧化锌薄膜有很好的c轴择优取向.对氧化锌薄膜晶体管的转移特性及输出特性等电学特性进行了测试分析.结果表明,氢气氛退火可以提高氧化锌薄膜晶体管的沟道迁移率,改善了氧化锌薄膜晶体管的性能.

关键词： 氧化锌 薄膜晶体管 氢退火

作者: 韩德栋 王漪 韩汝琦 康晋锋 刘晓彦 孙雷 杜刚 刘力锋 张盛东

作者单位: 北京大学微电子学研究所,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 203-205

在线出版日期: 2008-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）