老炼对荫罩式PDP的静态放电特性及MgO薄膜的影响

摘要：

本文研究了老炼过程对42寸新型荫罩式PDP(SM-PDP)的静态放电特性及MgO薄膜的影响.持续的老炼使荫罩式PDP的着火电压和维持电压逐渐降低并维持稳定,而静态记忆余裕度(static margin)则持续缓慢增大并稳定.运用FESEM观察了老炼前后放电区域MgO薄膜表面形貌的变化,发现MgO薄膜表面比老炼前平滑,晶体结构发生了较大的改变.

关键词： 等离子体显示器 老炼过程 荫罩式PDP 静态放电特性 氧化镁薄膜

作者: 石吟馨 李青 宋明贵 况亚伟

作者单位: 东南大学电子科学与工程学院显示中心 江苏省信息显示工程技术研究中心 南京华显高科有限公司,南京,210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 161-163

在线出版日期: 2008-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）