碳化硅晶片的氧化脱炭研究

摘要：

碳化硅晶片具有晶相完整性好、缺陷少、对环境污染小等特点,是理想的碳化硅晶须替代材料.采用旋转式氧化脱炭炉这一新设备对碳化硅晶片的氧化脱炭进行了研究.考察了氧化脱炭温度和时间对碳化硅晶片脱炭效果的影响.研究表明,旋转式氧化脱炭炉具有较好的脱炭效果和较高的脱炭效率,在氧化脱炭温度为700℃、氧化时间为1.5 h条件下能够完全除去碳化硅晶片所含有的炭.

关键词： 碳化硅晶片 氧化脱炭 氧化脱炭炉 脱炭温度

作者: 孟永强 戴长虹

作者单位: 河北科技大学材料科学与工程学院,河北 石家庄 050018 青岛理工大学,山东 青岛 266033

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年全国冶金物理化学学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 794-796

在线出版日期: 2008-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）