电沉积法制备巨磁电阻功能膜研究
简要介绍了巨磁电阻材料的相关内容,包括定义、应用及制备手段.采用电化学的方法在半导体Si表面沉积了CuCo颗粒膜.研究电沉积工艺参数,如镀液的主盐离子浓度、络合剂浓度以及沉积时的电流密度等对铜钴颗粒膜层组成的影响.发现膜层的组成成分、晶粒大小与镀液的主盐离子浓度、络合剂浓度以及沉积时的电流密度有着直接的联系.磁阻测量及真空退火处理后发现,经过450℃退火处理1 h后Cu80Co20薄膜GMR达到最大值,随着温度的升高膜层的电阻率也随之下降.XRD分析表明经过退火处理膜层中出现Co粒子的析出,出现了局部富钴的区域.磁阻测量表明此时有利于提高膜层的GMR值.
电沉积 铜钴颗粒膜 巨磁电阻材料 退火温度 磁阻测量
赵林 樊占国 苏海
东北大学材料与冶金学院,辽宁 沈阳 110004 铁岭世纪盈表面处理有限公司,辽宁 铁岭 112611
国内会议
贵阳
中文
362-366
2008-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）