会议专题

Cd掺杂Zn4Sb3的热电性能的理论计算

本文运用基于密度泛函和赝势理论计算了Cd掺杂Zn4Sb3的能带和态密度,从计算得到的能带结构中求出价带顶和导带底的有效质量,由电子结构相应的计算方法估算了Cd掺杂Zn4Sb3的电导率、热导率、Seebeck系数和材料的热电品质因子.结果表明Cd掺杂Zn4Sb3的品质因子在625 K附近达到最大值0.0039 K-1,该方法对于半导体热电性能的预测具有重要意义.

热电性能 Cd掺杂Zn4Sb3 电子结构 量子化学 计算方法 半导体材料

肖忠良 刘丹 曹忠 王成峰 吴道新 尹周澜 陈启元

长沙理工大学化学与环境工程系,湖南 长沙 410076 中南大学化学化工学院,湖南 长沙 410083 长沙理工大学化学与环境工程系,湖南 长沙 410076 中南大学化学化工学院,湖南 长沙 410083 中大学化学化工学院,湖南 长沙 410083

国内会议

2008年全国冶金物理化学学术会议

贵阳

中文

330-334

2008-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)