CE端并联电容对IGBT关断损耗的影响

摘要：

因为IGBT并联电容后会使关断时的CE端电压上升率减少，一些电路拓扑常使用CE端并联电容来减小IGBT关断损耗。但由于关断拖尾电流时间会同时增加，损耗减少效果将受到影响。制造厂商Datasheet资料都没有提供IGBT并电容关断损耗的信息，而并电容关断损耗特性对于一些拓扑效率评估以及电容参数设计将有重要意义。本文基于富士公司IGBT模块2MBI150U4B-120测试了不同并联电容和关断电流下IGBT关断损耗特性，指出了CE端并联电容对IGBT关断损耗的影响。

关键词： IGBT 并联电容 拖尾电流 关断损耗

作者: 马柯 李睿 徐德鸿

作者单位: 浙江大学电气工程学院,杭州310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2008-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）