一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构

摘要：

本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术，以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI结构，并借助理论分析和二维器件仿真器MEDICI，深入研究了该结构的耐压机理。研究表明，阶梯漂移区结构可在提高击穿电压5～10％的同时，漂移区电阻大幅度降低48～52％，而且漂移区尺寸也可缩小10％。进一步研究表明，采用一阶或二阶阶梯漂移区即可达到接近线性漂移区的效果，同时具有工艺容差大、制造时无高温过程、工艺成本低等优点。

关键词： SOI 阶梯漂移区 击穿电压 横向变掺杂

作者: 郭宇锋 蹇彤 徐跃 王志功

作者单位: 南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210003;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096 南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210003 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2008-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）