脉冲功率开关RSD通态压降的研究

摘要：

RSD（Reversely Switched Dynistor）是一种晶闸管和晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件，RSD采用控制等离子层触发的开通模式。文章从理论上推导了RSD通态压降的表达式，并给出了该压降与器件结构参数的表达式，根据其解析式，给出了降低器件损耗的方法。

关键词： 脉冲功率 RSD通态压降 损耗 晶闸管

作者: 尚超 余岳辉 陈学川 彭亚斌

作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系;中国 武汉430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2008-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）