1100VIGBT结构参数的分析

摘要：

在1100V IGBT的基础上，引入电场中止技术和近表面层载流子浓度增大技术，通过不同参数下IGBT结构的模拟，分别定量分析了N-漂移区、N+缓冲层和空穴阻挡层的厚度和掺杂浓度对IGBT器件的转移特性、开态特性、开关特性以及耐压的影响，优化了IGBT结构参数，为IGBT结构的改进提供了参考。

关键词： 绝缘栅双极晶体管 N-漂移区 N+缓冲层 空穴阻挡层

作者: 冯松 高勇 杨媛

作者单位: 西安理工大学电子工程系,西安,710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2008-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）