500V体硅N-LDMOS器件终端技术的研究

摘要：

借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4 和Medici，对耐压500V的体硅N-LDMOS 器件进行详细模拟。在模拟过程中，综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场，分析了场限环的长度，注入剂量等参数对耐压的影响。优化后该器件表面电场分布良好，通过I-V 曲线可知，关态和开态耐压均超过500V，开启电压在1.5V左右，可以很好应用于各种高压功率集成芯片，具有很好的发展前景。

关键词： N-LDMOS 内场限环 场极板 漂移区 击穿电压

作者: 李栋良 张景超 刘利峰

作者单位: 江苏宏微科技有限公司,江苏 常州213022

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

在线出版日期: 2008-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）