会议专题

150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究

本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试,获得导通电阻小于 13 毫欧,VDS大于150V,ID大于150A的好结果。

导通电阻 电力电子器件 绝缘栅双极晶体管 VDMOS器件

刘道广 王均平 黄新 陈思敏 周伟松 张斌 王培清

清华大学电力电子厂102201

国内会议

2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会

杭州

中文

2008-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)