150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究

本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试,获得导通电阻小于 13 毫欧,VDS大于150V,ID大于150A的好结果。
导通电阻 电力电子器件 绝缘栅双极晶体管 VDMOS器件
刘道广 王均平 黄新 陈思敏 周伟松 张斌 王培清
清华大学电力电子厂102201
国内会议
杭州
中文
2008-11-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
导通电阻 电力电子器件 绝缘栅双极晶体管 VDMOS器件
刘道广 王均平 黄新 陈思敏 周伟松 张斌 王培清
清华大学电力电子厂102201
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