复合半导体光催化剂CdS-SiO2的制备及其光催化性能研究
以CdSO4为镉源、Na2S为硫源,采用直接沉淀法制得了CdS纳米粒子,光还原沉积法对CdS晶体表面进行载Pt,用氨水催化分解正硅酸乙酯制备Pt-CdS-SiO2光催化剂。借助紫外-可见漫反射(UV-Vis)对催化剂进行表征,用电化学法测定CdS的光腐蚀度,以甲酸水溶液的可见光催化制氢反应为探针,评价催化剂活性。结果表明,SiO2的复合有效地抑制了CdS光催化过程中发生光腐蚀和粒子团聚,促使光生电子和空穴分离,从而使CdS的可见光制氢活性大大提高。
CdS-SiO2 半导体光催化剂 制氢工艺 复合结构 光催化性能
谢丹 彭绍琴 李越湘 吕功煊 李树本
南昌大学化学系,南昌330047 中国科学院兰州化学物理研究所羰基合成与选择氧化国家重点实验室,兰州730000
国内会议
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2007-10-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)