离子注入剂量的光载流子辐射测量技术研究
介绍了光载流子辐射测量技术在离子注入剂量测量方面的应用,以11B+和31P+离子注入硅片为例分析了信号随注入剂量的关系。
光载流子 离子注入掺杂 辐射测量 注入剂量 半导体材料 无损测量
刘显明 李斌成 张希仁
中国科学院光电技术研究所成都610209 电子科技大学光电信息学院成都610054
国内会议
南京
中文
2008-06-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
光载流子 离子注入掺杂 辐射测量 注入剂量 半导体材料 无损测量
刘显明 李斌成 张希仁
中国科学院光电技术研究所成都610209 电子科技大学光电信息学院成都610054
国内会议
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2008-06-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)