光导开关研究进展及其在脉冲功率技术中的应用
光导开关具有上升沿快、时间抖动小、击穿场强高、光电隔离等优点，在脉冲功率技术中有重要应用概述了GaAs光导开关的发展历史，通过对GaAs和SiC进行比较指出SiC由于禁带宽度大、击穿场强高、子饱和漂移速度大、热导率高等优势被认为是更好的光导开关材料。比较了本征光电导和非本征光电导的同之处，报道了利用本征光电导和非本征光电导的SiC光导开关的最新进展。简要介绍了光导开关在超宽源和紧凑型脉冲功率系统中的应用，提出了SiC光导开关发展的关键技术并进行了展望。
光导开关 砷化镓 碳化硅 超宽带源 紧凑型脉冲功率系统
袁建强 谢卫平 周良骥 陈林 王新新
清华大学电机系;中国工程物理研究院流体物理研究所 中国工程物理研究院流体物理研究所 清华大学电机系
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2007-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）