镓铝砷850nm大功率红外LED芯片的研制

摘要：

欣磊公司已成功研制开发了GaAlAs 850nm大功率红外LED芯片。本文针对GaAlAs850nm大功率红外外延片不同于940nm窗口型小功率红外外延片以及非窗口型小功率红外外延片的材料特征以及GaAlAs 850nm红外LED芯片在制造过程中存在的电极欧姆接触、表面(芯片)损伤，光功率衰减及其提高芯片光功率等问题进行分析阐述，并在实际制造中论证这些问题，所制造的GaAlAs850nm红外LED芯片现已能完全适用于民用产品上。

关键词： 大功率红外LED芯片 镓铝砷芯片 欧姆接触 光功率

作者: 黄建民 曹喜平

作者单位: 南昌欣磊光电科技有限公司 江西南昌42信箱330012

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国LED产业与技术研讨会

会议地点: 江苏镇江

会议语种:中文

页码: 89-91

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）