硅衬底GaN基绿光LED光电性能及老化研究

摘要：

本文报道了本研究组制备的硅衬底GaN基绿光LED的光电性能，芯片采用Ag反射镜与表面粗化技术，400μm×6 00μm尺寸的芯片在20mA下光功率达8.16mW，在注入电流小于120mA时光功率随着电流的增加而线形增加。最后对其进行直流老化实验，在90mA电流125℃高温老化下，器件无光表，电学性能非常稳定，可靠性已经达到了目前市场的需求。

关键词： 绿光LED 硅衬底 氮化镓基 光电性能 高温老化

作者: 程海英 游达 王小兰 王立 江风益

作者单位: 晶能光电 (江西)有限公司, 南昌,330047;南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 晶能光电(江西)有限公司, 南昌,330047 晶能光电(江西)有限公司, 南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 晶能光电(江西)有限公司, 南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国LED产业与技术研讨会

会议地点: 江苏镇江

会议语种:中文

页码: 72-74

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）