Si基GaN大功率LED的可靠性研究

摘要：

本文报道了最新Si上GaN大功率芯片(400um×600um)的封装老化结果。芯片制备采用的上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺，封装采用普通大功率封装支架封装，封装好后的蓝光LED管芯在20mA下光功率达到了18mW。最后在高温125℃大电流90mA下进行无散热的加速老化实验，老化结果表明无论是蓝光还是白光封装，芯片电学性能稳定，无光衷，可靠性已经达到商品化实用要求。

关键词： 大功率LED 氮化镓大功率芯片 硅基 可靠性研究

作者: 游达 程海英 刘彦松 全知觉 王立 江风益

作者单位: 晶能光电(江西)有限公司,南昌,330047 晶能光电(江西)有限公司,南昌,330047;南昌大学 教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国LED产业与技术研讨会

会议地点: 江苏镇江

会议语种:中文

页码: 69-71

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）