电子势垒层在大功率硅衬底氮化镓基LED中的影响

摘要：

研究了P型AIGaN电子势垒层对大功率Si衬底GaN基LED光电性能的影响。设计制作了三种不同材料结构的器件：(1)无P型AlGaN；(2)有P型AlGaN和(5)有P型AlGaN且阱稍窄。通过对比分析三种器件的测试数据，发现了P型AlGaN作为电子势垒层可在一定电流范围内提高器件的外量子效率；但同时也使得器件的波长蓝移增大。阱变窄解决了波长蓝移问题。

关键词： 大功率LED 氮化镓基 硅衬底 电子势垒层 光电性能

作者: 全知觉 汤英文 游达 江风益

作者单位: 晶能光电(江西)有限公司,南昌,330047

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国LED产业与技术研讨会

会议地点: 江苏镇江

会议语种:中文

页码: 65-68

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）