670nm LED材料的MOCVD外延生长

摘要：

介绍了670 nmLED材料的结构与制备方法，重点论述了量子阱室温光荧光谱线宽的分析，指出线宽减小是应变量子阱轻重空穴谱线分离的结果，而不是由于量子阱界面质量改进的结果。同时介绍了DEz n的掺杂技术和掺杂结果，获得了较高的空穴密度。器件结果表明，可以用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂制作出符合产品要求的670 nmLED外延材料。

关键词： LED材料 外延生长 DEZn掺杂 制备方法 量子阱结构

作者: 刘英斌 林琳 陈宏泰 袁风坡 李云

作者单位: 中国电子科技集团总公司第十三研究所,石家庄,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国LED产业与技术研讨会

会议地点: 江苏镇江

会议语种:中文

页码: 61-64

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）