不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究

摘要：

本文研究了NPN晶体管在高低电子通量下的辐射效应。研究结果发现，不同电子通量下辐照到相同电子注量，对NPN晶体管造成的辐照损伤不同.低电子通量辐射下，晶体管的损伤明显大于高通量下的辐照结果，这与60COγ辐射下的低剂量率辐射损伤增强效应相类似。文中对出现这一现象的损伤机制进行了探讨。

关键词： 电子辐照 晶体管 辐照损伤 辐射效应 损伤机制 电子通量

作者: 郑玉展 陆妩 任迪远 郭旗 学锋 吕晓龙 王义元

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所，乌鲁木齐，830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 694-697

在线出版日期: 2008-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）