0.6μmMOS器件稳态高剂量率电离辐射总剂量效应研究

摘要：

合作制备了体硅0.6μm工艺直栅和环栅不同设计结构的MOS器件，开展了稳态高剂量率电离辐射总剂量效应试验。通过对实验数据进行分析，研究当器件特征尺寸达到亚微米、深亚微米时，不同设计结构、不同辐照偏置条件对实验结果的影响。分析了器件的短沟效应、窄沟效应、DIBL增强效应，为器件设计加固提供了有益的试验数据。

关键词： 高剂量率 总剂量效应 电离辐射 短沟效应 窄沟效应 增强效应

作者: 罗尹虹 郭红霞 张凤祁 姚志斌 何宝平 岳素格

作者单位: 西北核技术研究所，西安710024 中国航天时代电子公司，北京

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 683-688

在线出版日期: 2008-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）