掠入射质子荧光分析技术研究

摘要：

首次报道采用掠入射质子荧光分析(PIXE)方法对表面存在污染的铝片、注入铁离子的单晶硅片以及注入氧隔离SOI半导体材料进行了分析。实验结果表明，现有PIXE分析技术不需要对设备做任何重大的升级改造，只是简单的采用掠入射方法，就能有效提高其表面分析的灵敏度.通过研究不同角度时峰面积与探测限之比与穿透深度之间的关系，得出质子束在样品中的穿透深度越浅，峰面积与探测限的比值就越大，可检测的表面污染的灵敏度就越高。

关键词： 掠入射 痕量分析 质子荧光分析 单晶硅片 半导体材料 表面分析 表面污染

作者: 李红日 王广甫 梁琨 杨茹 韩德俊

作者单位: 北京师范大学低能核物理研究所，100875

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 480-484

在线出版日期: 2008-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）