一种厚耗尽层Si探测器的研制

摘要：

本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果。这种探测器的最突出优点是在较低的偏压下(例如150伏)可以得到较厚的耗尽层(例如4mm).测量结果显示，对207Bi内转换电子源975.6KeV峰的能量分辨为大约30KEV.另外，这种探测器反向漏电流小(150偏压下其反向漏电流典型值小于20nA)，可经受高温(60℃)的考验。

关键词： 厚耗尽层 叠层结构 平面工艺 Si探测器 性能测试 能量分辨 反向漏电流

作者: 谭继廉 卢子伟 张金霞 李存瑶 田大宇 宁宝俊 张录

作者单位: 中国科学院近代物理研究所兰州730000 北京大学微电子所北京100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 381-383

在线出版日期: 2008-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）