集成CMOS管1/f噪声测试系统

摘要：

互补金属氧化物半导体(CMOS)的1/f噪声决定了集成前置放大器的噪声，取得精确的1/f噪声系数是进行低噪声集成前置放大器设计的关键。本文设计了一种噪声测量系统，用于测量CMOS处于不同工作状态时的1/f噪声特性。该测量系统仿真结果为：等效输入电压噪声功率谱密度0.2nV/√Hz，等效输入电流噪声功率谱密度为0.4pA/√Hz，3dB带宽为0.9MHz.

关键词： 集成CMOS管 噪声系数 噪声测试 前置放大器 噪声功率谱

作者: 李衍存 邓智 刘以农

作者单位: 清华大学,北京100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 134-140

在线出版日期: 2008-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）