不同辐照条件下反熔丝FPGA的总剂量辐照效应研究

摘要：

现场可编程集成电路FPGA得到了日益广泛的应用，这类器件是由典型外延CMOS工艺制造的，对γ电离总剂量辐射较为敏感。该文讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在两种不同偏置条件下的γ电离总剂量效应，并针对该公司的可编程芯片内部结构进行了辐射效应分析。

关键词： FPGA 电离总剂量 辐照效应 可编程集成电路

作者: 袁国火 徐曦

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届反应堆数值计算和粒子输运学术会议暨2008年反应堆物理会议

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 377-379

在线出版日期: 2008-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）