硅漂移探测器的制作工艺及特性研究
采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成，极大地减少了工艺步骤，降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析，对238puα射线源的能谱进行了测量，对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。
硅漂移探测器 制作工艺 光响应度 光电子漂移 悬空阳极电位 阳极漏电流 SDD芯片
吴广国 韩德俊 黄勇 贾彬 曹学蕾 孟祥承 王焕玉 李秀芝 梁琨 杨茹
北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875,中国 中国科学院 高能物理研究所粒子天体物理中心,北京,100049,中国
国内会议
乌鲁木齐
中文
308-314
2008-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）