Z-效应光辐射探测器I-V特性分析与结构设计

摘要：

本文简要介绍了Z-元件的正向伏安特性，Z-效应光辐射探测器I-V特性与其结构设计，并对一些方法提出讨论。

关键词： Z-效应 光辐射探测器 正向伏安 I-V特性 结构设计

作者: 刘虹宇 周春芝 周永华 赵建兴

作者单位: 防化研究院第二研究所,北京1044信箱201分箱,102205

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 259-261

在线出版日期: 2008-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）