ECRPCVD SiN薄膜应力特性研究
该文介绍了电子回旋并振等离子于体CVD半导体薄膜制备工艺,并对这种工艺下得到的SiN介质膜应力进行了研究。薄膜应力测试采用激光束偏转法和双折射法,其中激光束偏转法直观、简便,不受样品材料的限制,可以判定应力的张、压性质,双折射法应力测试分辨率高,能给出应力的方向。
电子回旋共振等离子体CVD SiN薄膜应力 应力测试系统
恩云飞 杨银堂
部五所 电子科技大学
国内会议
成都
中文
156~159
1998-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)