会议专题

量子阱红外焦平面探测器的进展及其在我国的发展

Ⅲ-V量子阱焦平面探测器基于成熟的Ⅲ-V材料生长和器件制备技术,具有材料均匀性好、器件均匀性好、可操作像元高、产量高、成本低的生产优势。另外光谱响应带宽窄,不同波段之间的光学串音小,特别适宜制备双色、多色量子阱焦平面探测器。作为国际上第三代焦平面探测器技术的主要实现途径,目前在国外长波和双色量子阱焦平面探测器都已获得了重要而快速的发展,在美国和英、法、德、瑞典等欧洲先进国家都迅速研制出不同规模的量子阱焦平面探测器产品,并形成了系列产品。本文介绍了量子阱红外焦平面探测器的进展及其在我国的发展。

量子阱 焦平面探测器 红外探测器

史衍丽

昆明物理研究所,650223,昆明,云南

国内会议

2008年中国国际光电周

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83-96

2008-11-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)