介孔SiO2的质子导电功能
本文合成了介孔孔壁掺磷和非掺磷介孔SiO2,研究了它们的质子导电功能，用N2吸附-脱附、XRD、TEM等技术对合成的样品进行了表征，用交流阻抗技术测定了所合成样品的离子导电性。研究结果表明,所合成的掺磷和非掺磷介孔SiO2具有高度的有序介孔结构，N2吸附-脱附曲线表明所合成的材料存在介孔,BJH曲线表明材料的平均孔径为2～10nm,掺磷和非掺磷介孔SiO2的BET比表面积分别为386和485cm2/g。交流阻抗测定结果表明,掺磷和非掺磷介孔SiO2都具有较强的质子导电功能,其电导率分别为1×10-3和3×10-4S/cm,掺磷使介孔SiO2质子导电性有所提高。研究了不同酸调节溶液的pH对非掺磷介孔SiO2导电性的影响,其中用磷酸的最好,硫酸的次之,盐酸的最差，最后研究了加酸顺序对掺磷和非掺磷介孔SiO2导电率的影响。
介孔材料 二氧化硅 孔壁掺磷 质子导电
李丽坤 魏小兰 杜娟
华南理工大学,化学与化工学院,广东,广州,510640
国内会议
天津
中文
463-467
2008-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）