会议专题

La掺杂Bi-Sr-Co-O层状氧化物的热电性能

本文用固相烧结法制备了掺La层状热电氧化物Bi2Sr2-xLaxCo2O9(x=0、0.03、0.05、0.07、0.09)。XRD结果表明Bi-Sr-Co-O氧化物样品存在一定程度的织构,Seebeck系数为正,说明该氧化物为p型半导体。掺La后电导率和Seebeck系数增加,但存在掺La量的最优值,即Bi2Sr1.95 La0.05 Co2Og,此样品的Seebeck系数在300K时达210μV/K,ZT值在773K达到0.1。

化合物半导体 层状氧化物 镧元素掺杂 热电效应

刘鑫鑫 沈俊杰 朱铁军 杨胜辉 赵新兵

浙江大学,材料系,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

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二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛

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329-331

2008-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)