B位四价Sn4+、Zr4+离子取代对Ba(Zn1/3Nb2/3)O3系统介电性能的影响
本文采用传统的固相陶瓷烧结工艺,利用四价正离子Sn4+、Zr4+取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的B位Zn2+、Nb5+离子,研究了其对Ba(Zn1/3 Nb2/3)O3系统介电性能的影响。随BaSnO3含量的增加,介电常数降低,温度系数正向偏移，在32％≥x≥5％(摩尔分数,以下同)时,气孔率减少,体积密度pv增大,介质损耗降低，BaSnO3含量为32％时,系统具有最好的介电性能。在BZN-BZ系统中,BaZrO3增加,系统的εr降低,损耗增大,容量温度系数负向偏移。在BZN-SZN-BZ系统中,BZ的加入使εr增大、τc负向发展、介质损耗降低，BZ的添加可以促进烧结、抑制第二相和有序相的形成。
介电陶瓷 元素掺杂 陶瓷序相 介质损耗
石锋
山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014
国内会议
天津
中文
247-250
2008-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）