溅射温度对TaNx薄膜性能的影响
本文采用反应磁控溅射法制备TaNx薄膜,研究了溅射温度对薄膜成分、结构和性能的影响。结果表明,随溅射温度的升高,薄膜中氮含量先降低后升高,在560℃左右达到最低值26.71％(原子分数)。随溅射温度的升高,薄膜中依次析出TaN0.43.Ta4N5,Ta5N6,TaN相。随着溅射温度的升高,薄膜的温度电阻系数及方阻先下降后上升,并在560℃分别达到最低值708×10-6/℃,26.7Ω/sq。薄膜中氮含量越高,薄膜电阻温度系数及方阻越大，薄膜中存在Ta4N5和Ta5N6晶相可降低薄膜的温度电阻系数及方阻,而TaN晶相的存在导致较大的温度电阻系数及方阻。
薄膜制备 溅射温度 薄膜晶相 薄膜电阻
向阳 张万里 蒋洪川 莫绍毅 雷云
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
国内会议
天津
中文
244-246
2008-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）