Study on the CMP slurry for tantalum barrier layer of copper interconnection in ULSI
随着ULSI的特征尺寸减小，铜成为深亚微米技术中(0.18um及以下)硅材料上的布线金属，钽阻档层是防止铜向硅及介质扩散的最佳选择。铜CMP工艺中，由于铜与钽的去除速率的差别常会产生碟形坑，而且金属离子污染也是一个难题。研制了一种用于铜、钽抛光的碱性浆料，选用高浓度的纳米硅溶胶作磨料，选用双氧水作氧化剂。由于铜与钽的性质不同，抛光浆料中的氧化剂和络合剂对去除速率有很重要的影响，通过减少浆料中的氧化剂，提高络合作用并加速钽生成水溶性反应产物，降低铜的去除速率而加强钽的去除速率使之趋于一致。
化学机械抛光 抛光浆料 去除速率 铜 选择性
TAN Bai-mei NIU Xin-huan ZHOU Jian-wei LIU Yu-ling LI Hui
Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China
国内会议
天津
英文
213-216
2008-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）