会议专题

Study on the CMP slurry for tantalum barrier layer of copper interconnection in ULSI

随着ULSI的特征尺寸减小,铜成为深亚微米技术中(0.18um及以下)硅材料上的布线金属,钽阻档层是防止铜向硅及介质扩散的最佳选择。铜CMP工艺中,由于铜与钽的去除速率的差别常会产生碟形坑,而且金属离子污染也是一个难题。研制了一种用于铜、钽抛光的碱性浆料,选用高浓度的纳米硅溶胶作磨料,选用双氧水作氧化剂。由于铜与钽的性质不同,抛光浆料中的氧化剂和络合剂对去除速率有很重要的影响,通过减少浆料中的氧化剂,提高络合作用并加速钽生成水溶性反应产物,降低铜的去除速率而加强钽的去除速率使之趋于一致。

化学机械抛光 抛光浆料 去除速率 铜 选择性

TAN Bai-mei NIU Xin-huan ZHOU Jian-wei LIU Yu-ling LI Hui

Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China

国内会议

二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛

天津

英文

213-216

2008-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)